BS170 N-kanalni MOSFET TO-92

BS170 je N-kanalni MOSFET, upakiran u kompaktno TO-92 kućište. Ova vrsta MOSFET-a idealna je za uporabu u sklopovima s niskim naponom i strujom, poput malih signalnih tranzistora.

Najvažnije specifikacije:

• Napon drain-source (Vds): 60V
• Napon gate-source (Vgs): ±20V (kontinuirano), ±40V (neponavljajuće)
• Struja draina (Id): 0.5A
• Ukupna disipacija snage: 350 mW pri 25°C
• Radna temperatura: -55°C do +150°C
• Pragovni napon gatea (Vgs(Th)): 0.8V do 3.0V
• Otpor u uključenom stanju (Rds(on)): Najviše 5 Ω pri Vgs = 10V
• Vremena preklapanja: Vrijeme uključivanja i isključivanja od 4-10 nanosekundi

BS170 nudi izvrsne performanse u primjenama brzog preklapanja zahvaljujući kratkim vremenima preklapanja i prikladan je za uporabu među ostalim u malim regulatorima snage i signalnim pojačalima.