BS170 N-Channel MOSFET TO-92

BS170 е N-канален MOSFET, поставен в компактно TO-92 корпус. Този тип MOSFET е идеален за използване в схеми с ниско напрежение и ток, като малки сигнални транзистори.

Основни спецификации:

Напрежение Drain-Source (Vds): 60V
Напрежение Gate-Source (Vgs): ±20V (непрекъснато), ±40V (неповтарящо се)
Drain ток (Id): 0.5A
Обща разсейвана мощност: 350 mW при 25°C
Работна температура: -55°C до +150°C
Прагова напрежение на Gate (Vgs(Th)): 0.8V до 3.0V
Съпротивление в отворено състояние (Rds(on)): Максимум 5 Ω при Vgs = 10V
Времена на превключване: Време за включване и изключване от 4-10 наносекунди

BS170 предлага отлична производителност при бързи превключващи приложения благодарение на ниските времена на превключване и е подходящ за употреба в малки регулатори на мощност и усилватели на сигнали.

Прочети повече

N-канален MOSFET
Корпус TO-92
Кратко време на превключване
Ниско напрежение

Защо да изберете този продукт?

Бързо превключване – Ниски времена на превключване за бързи приложения.
Подходящ за нисък ток – Идеален за малки сигнални транзистори.
Компактен корпус – Корпусът TO-92 спестява място.
За регулатори на мощност – Подходящ за малки регулатори на мощност.
За сигнални усилватели – Също приложим в сигнални усилватели.

Спецификации

Работна температура	-55°C до +150°C
Максимален drain ток	0.5A
Максимално drain-source напрежение	60V
Максимално време за превключване	Време за включване и изключване от 4-10 наносекунди
Напрежение Gate-Source (Vgs)	±20V (continu), ±40V (niet-repetitief)
Обща разсейвана мощност	350 mW при 25°C
Прагова напрежение на гейта (Vgs(Th))	0.8V до 3.0V
Съпротивление в отворено състояние (Rds(on))	Максимум 5 Ω при Vgs = 10V