BS170 N-kanava MOSFET TO-92

BS170 on N-kanava MOSFET, joka on pakattu kompaktin TO-92-kotelon sisään. Tämä MOSFET-tyyppi sopii erinomaisesti käytettäväksi matalan jännitteen ja virran kytkentäpiireissä, kuten pienissä signaalitransistoreissa.

Tärkeimmät tekniset tiedot:

• Drain-Source-jännite (Vds): 60V
• Gate-Source-jännite (Vgs): ±20V (jatkuva), ±40V (ei-toistuva)
• Drain-virta (Id): 0.5A
• Kokonaistehohäviö: 350 mW 25°C:ssa
• Käyttölämpötila: -55°C - +150°C
• Gate Threshold Voltage (Vgs(Th)): 0.8V - 3.0V
• Päällä-tilaresistanssi (Rds(on)): Enintään 5 Ω kun Vgs = 10V
• Kytkentäajat: Turn-on- ja turn-off-aika 4-10 nanosekuntia

BS170 tarjoaa erinomaisen suorituskyvyn nopeissa kytkentäsovelluksissa alhaisten kytkentäaikojen ansiosta, ja se soveltuu käytettäväksi muun muassa pienissä tehonsäätimissä ja signaalivahvistimissa.