BS170 N-kanałowy MOSFET TO-92

BS170 to MOSFET N-kanałowy, zamknięty w kompaktowej obudowie TO-92. Ten typ MOSFET-u idealnie nadaje się do zastosowań w układach o niskim napięciu i prądzie, takich jak małe tranzystory sygnałowe.

Najważniejsze dane techniczne:

• Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
• Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±20V (ciągłe), ±40V (niepowtarzalne)
• Prąd drenu (Id): 0.5A
• Całkowita moc strat: 350 mW przy 25°C
• Temperatura pracy: -55°C do +150°C
• Napięcie progowe bramki (Vgs(Th)): 0.8V do 3.0V
• Rezystancja w stanie włączenia (Rds(on)): Maksymalnie 5 Ω przy Vgs = 10V
• Czasy przełączania: Czas włączenia i wyłączenia 4-10 nanosekund

BS170 zapewnia doskonałą wydajność w szybkich zastosowaniach przełączających dzięki krótkim czasom przełączania i nadaje się do użytku m.in. w małych regulatorach mocy oraz wzmacniaczach sygnałowych.