BS170 N-Channel MOSFET TO-92

Le BS170 est un MOSFET à canal N, logé dans un boîtier compact TO-92. Ce type de MOSFET est idéal pour une utilisation dans des circuits à faible tension et faible courant, comme les petits transistors de signal.

Principales spécifications :

• Tension drain-source (Vds) : 60V
• Tension grille-source (Vgs) : ±20V (continu), ±40V (non répétitif)
• Courant de drain (Id) : 0.5A
• Dissipation totale de puissance : 350 mW à 25°C
• Température de fonctionnement : -55°C à +150°C
• Tension de seuil de grille (Vgs(Th)) : 0.8V à 3.0V
• Résistance à l'état passant (Rds(on)) : Maximum 5 Ω à Vgs = 10V
• Temps de commutation : Temps d'activation et de désactivation de 4-10 nanosecondes

Le BS170 offre d'excellentes performances dans les applications de commutation rapide grâce à de faibles temps de commutation et convient notamment aux petits régulateurs de puissance et aux amplificateurs de signal.