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Beschreibung
Der BS170 ist ein N-Kanal MOSFET, verpackt im kompakten TO-92-Gehäuse. Dieser MOSFET eignet sich ideal für Anwendungen mit niedriger Spannung und Strom, wie kleine Signaltransistoren.
Wichtige Spezifikationen:
- Drain-Source-Spannung (Vds): 60V
- Gate-Source-Spannung (Vgs): ±20V (kontinuierlich), ±40V (nicht-repetitiv)
- Drain-Strom (Id): 0,5A
- Gesamt-Leistungsaufnahme: 350 mW bei 25°C
- Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C
- Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(Th)): 0,8V bis 3,0V
- Einschalt-Widerstand (Rds(on)): Maximal 5 Ω bei Vgs = 10V
- Schaltzeiten: Einschalt- und Ausschaltzeiten von 4 bis 10 Nanosekunden
Der BS170 bietet hervorragende Leistung in schnellen Schaltanwendungen dank niedriger Schaltzeiten und eignet sich für Anwendungen wie kleine Leistungsregler und Signalverstärker.
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