BS170 MOSFET à canal N TO-92 (OT5587)

Le BS170 est un MOSFET à canal N, dans un boîtier compact TO-92. Ce type de MOSFET est idéal pour les applications à basse tension et courant, comme les petits transistors de signal.

Spécifications principales :

• Tension Drain-Source (Vds) : 60V
• Tension Gate-Source (Vgs) : ±20V (continu), ±40V (non-répétitif)
• Courant de Drain (Id) : 0,5A
• Dissipation totale de puissance : 350 mW à 25°C
• Température de fonctionnement : -55°C à +150°C
• Tension de seuil de Gate (Vgs(Th)) : 0,8V à 3,0V
• Résistance On (Rds(on)) : Maximum 5 Ω à Vgs = 10V
• Temps de commutation : Temps d'activation et de désactivation de 4 à 10 nanosecondes

Le BS170 offre d'excellentes performances dans des applications de commutation rapide grâce à des temps de commutation faibles et est adapté à des régulateurs de puissance et amplificateurs de signal de petite taille.